| PIN型快速恢复二极管的研究与应用 |
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| 引用本文： | 韦文生,戴瑜兴,张正江,李晶. PIN型快速恢复二极管的研究与应用[J]. 材料导报, 2012, 26(19) |
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| 作者姓名： | 韦文生 戴瑜兴 张正江 李晶 |
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| 作者单位： | 温州大学物理与电子信息工程学院,温州,325035 |
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| 摘 要： | 剖析了改善快速恢复二极管(Fast recovery diode,FRD)反向恢复性能的发射率控制及少子寿命控制的实施方案.探究了间接带隙半导体硅FRD与SiGe、GaN、SiC等直接带隙半导体FRD的反向恢复性能,介绍了SiC的欧姆接触技术.比较了硅FRD与碳化硅FRD的实际应用效果,发现前者的反向及动态特性均落后于后者的性能,后者特别适合于高频、高电压、大功率技术领域的应用.
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| 关 键 词： | 快速恢复二极管 发射率控制 少子寿命控制 硅 碳化硅 |
Investigations and Applications of PIN Type Fast Recovery Diodes |
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| WEI Wensheng , DAI Yuxing , ZHANG Zhengjiang , LI Jing. Investigations and Applications of PIN Type Fast Recovery Diodes[J]. Materials Review, 2012, 26(19) |
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| Authors: | WEI Wensheng DAI Yuxing ZHANG Zhengjiang LI Jing |
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