| 超高真空CVD选择性外延锗硅及其电学特性 |
| |
| 引用本文： | 吴贵斌,叶志镇,赵星,刘国军,赵炳辉.超高真空CVD选择性外延锗硅及其电学特性[J].浙江大学学报(自然科学版 ),2006,40(12):2041-2043. |
| |
| 作者姓名： | 吴贵斌 叶志镇 赵星 刘国军 赵炳辉 |
| |
| 作者单位： | 吴贵斌，叶志镇，赵星，刘国军，赵炳辉（浙江大学 硅材料国家重点实验室, 浙江 杭州 310027） |
| |
| 基金项目： | 国家攀登计划;浙江省科技厅资助项目 |
| |
| 摘 要： | 为了满足高性能的红外探测要求，以高品质硅基器件研制了选择性外延锗硅肖特基二极管.利用低温下锗硅材料在二氧化硅表面成核需要一定时间的特点, 采用超高真空化学气相沉积（UHV-CVD）技术，550 ℃下，在硅光刻窗口处，选择性生长了锗硅外延层.由此技术生长的锗硅材料制作了硅基肖特基二极管原型器件，并研究了该二极管器件的电流 电压特性曲线.结果表明，与传统方法制备的非选择性外延锗硅肖特基二极管相比，该二极管器件可以避免在确定有源区后再经受高温处理,简化了器件制作工艺, 该二极管反向漏电流低2～3个数量级，具有优良的器件电学特性.
|
| 关 键 词： | 超高真空化学气相沉积 选择性外延 锗硅 肖特基二极管 |
| 文章编号： | 1008-973X（2006）12-2040-03 |
| 收稿时间： | 2005-10-10 |
| 修稿时间： | 2005-10-10 |
Electrical characteristics and selective growth of SiGe by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition |
| |
| WU Gui-bin,YE Zhi-zhen,ZHAO Xing,LIU Guo-jun,ZHAO Bin-hui.Electrical characteristics and selective growth of SiGe by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition[J].Journal of Zhejiang University(Engineering Science),2006,40(12):2041-2043. |
| |
| Authors: | WU Gui-bin YE Zhi-zhen ZHAO Xing LIU Guo-jun ZHAO Bin-hui |
| |
| Affiliation: | State Key Laboratory Zhi-zhen, ZHAO Xing, LIU Guo-jun, ZHAO Bin-hui of Silicon Materials, Zhejiang University, Hangzhou 310027, China |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | UHV-CVD selective epitaxy SiGe Schottky junction |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《浙江大学学报(自然科学版 )》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《浙江大学学报(自然科学版 )》下载全文 |
