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| 等离子体化学气相淀积法(PCVD)生长氧传感器薄膜材料 | |
| 引用本文： | 方起,彭定坤,胡克鳌,孟广耀.等离子体化学气相淀积法(PCVD)生长氧传感器薄膜材料[J].材料研究学报,1987(1). |
| 作者姓名： | 方起 彭定坤 胡克鳌 孟广耀 |
| 作者单位： | 中国科学技术大学应用化学系 (方起，彭定坤，胡克鳌)，中国科学技术大学应用化学系(孟广耀) |
| 摘 要： | 稳定化 ZrO_2是目前已实用化的氧离子导体材料。由于工业过程自化的要求,传性感器的小型化、集成化、智能化已成为当前发展的趋势,各种薄膜型氧传感器元件的研制开始活跃起来~(1])。在众多的薄膜工艺中,PCVD 法优点突出,控制方便,尤其低压等离子体在低温所具有的高内能和活化能(其电子温度10~4～10~5K),为获得许多新型 |
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