外延Ni薄膜及其各向异性磁电阻性能分析

本文分析了采用磁控溅射法在云母衬底外延生长Ni薄膜,结果表明,在不高于400℃时Ni薄膜可成功外延,Ni薄膜具有各向异性磁电阻效应,400℃制备的Ni薄膜各向异性磁电阻率达1.72%。此外,在曲率半径为10mm的条件下,经过104次弯曲循环后,各向异性磁电阻性能没有明显退化。