| 基于功率MOSFET的高速高压脉冲产生器 |
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| 引用本文： | 杜继业,宋岩,郭明安,宋顾周,马继明. 基于功率MOSFET的高速高压脉冲产生器[J]. 核电子学与探测技术, 2014, 0(7) |
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| 作者姓名： | 杜继业 宋岩 郭明安 宋顾周 马继明 |
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| 作者单位： | 西北核技术研究所,西安,710024 |
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| 摘 要： | 通过研究功率MOSFET器件的开关特性和脉冲产生技术,设计了互补推挽和集成芯片两种MOSFET栅驱动脉冲电路,其较好的驱动能力,极大的提升了MOSFET的开关速度,分别实现了上升(下降)时间小于5 ns和2.5 ns、输出幅度300~500 V、脉冲宽度5 ns~0.2ms可调的高速、高压的脉冲产生与放大。据此研制成功的脉冲产生器具有稳定性好、带负载能力强、输出脉宽调节范围大、体积小等特点。该脉冲产生器已成功应用于像增强器高速摄影的电子快门装置,并在其他需要高速、高压脉冲领域有一定应用前景。
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| 关 键 词： | 高压脉冲 MOSFET 脉冲产生器 驱动电路 |
Design of High-speed and High-voltage Pulse Generator Based on MOSFET |
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| DU Ji-ye,SONG Yan,GUO Ming-an,SONG Gu-zhou,MA Ji-ming. Design of High-speed and High-voltage Pulse Generator Based on MOSFET[J]. Nuclear Electronics & Detection Technology, 2014, 0(7) |
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| Authors: | DU Ji-ye SONG Yan GUO Ming-an SONG Gu-zhou MA Ji-ming |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | high-voltage pulse MOSFET pulse generator driving circuit |
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