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三星制成0．08毫米半导体衬底 今年有望实现商用；海力士开发出层叠24层NAND型闪存的多芯片封装；恩智浦08年将量产“硅麦克风”；7家电子设备公司联手力顶下一代可移除闪存卡标准UFS；AMD图形技术成香饽饽 芯片厂商纷纷牵手合作；全球闪存产能在2008年将首度超越DRAM。