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| pH-ISFET的无机敏感膜 | |
| 作者姓名： | 韩泾鸿 李亚亭 蔡金娥 范杰 崔大付 |
| 作者单位： | 中科院电子所(韩泾鸿，李亚亭，蔡金娥，范杰)，中科院电子所(崔大付) |
| 摘 要： | <正> 本文就各种H~+敏感膜的几个问题进行讨论。 ISFET的绝缘栅有两个作用:(1)保护FET的沟道不受溶液的侵蚀;(2)敏感膜表面存在表面基,只对溶液的某种离子作用,产生的电位满足能斯特公式。用电解质-绝缘层 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
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