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Ti^3+掺杂SiO2/甲基三乙氧基硅烷复合薄膜的制备
引用本文:蓝芳,肖波,曹聪蕊,蒋晓东,袁晓东,江波. Ti^3+掺杂SiO2/甲基三乙氧基硅烷复合薄膜的制备[J]. 功能材料, 2008, 39(9)
作者姓名:蓝芳  肖波  曹聪蕊  蒋晓东  袁晓东  江波
作者单位:1. 四川大学,化学学院,四川,成都,610064
2. 中国工程物理研究院,激光聚变研究中心,四川,绵阳,621900
摘    要:采用溶胶-凝胶(sol-gel)法,以正硅酸乙酯TEOS/甲基三乙氧基硅烷(MTES)为先驱物,浓盐酸为催化剂,制备了掺杂不同三氯化钛(TiCl3)浓度的SiO2/MTES复合薄膜.采用荧光分光光度计、扫描探针显微镜、红外光谱仪、X光衍射仪等仪器对膜层性质进行了分析.结果表明,掺杂4%、3%、2%、1%TiCl3的SiO2/MTES复合薄膜分别在250nm附近有一弱激发峰,294nm附近有一强激发峰,在393nm附近出现一强发射峰;掺杂3%的复合薄膜荧光发射强度达到值最大.与Ti3 掺杂的常规SiO2薄膜比较,Ti3 掺杂的SiO2/MTES复合薄膜的荧光强度更稳定.

关 键 词:三氯化钛  甲基三乙氧基硅烷  二氧化硅薄膜  溶胶-凝胶

Preparation of Ti3+ doped SiO2/methyltriethoxysilane coating
LAN Fang,XIAO Bo,CAO Cong-rui,JIANG Xiao-dong,YUAN Xiao-dong,JIANG Bo. Preparation of Ti3+ doped SiO2/methyltriethoxysilane coating[J]. Journal of Functional Materials, 2008, 39(9)
Authors:LAN Fang  XIAO Bo  CAO Cong-rui  JIANG Xiao-dong  YUAN Xiao-dong  JIANG Bo
Abstract:
Keywords:
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