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| 在Si衬底上生长高性能Ⅲ-V族器件 | |
| 作者姓名： | 邓志杰（摘译） |
| 摘 要： | 日本NTT公司和台湾国立交通大学合作利用si衬底研制出一种AiGaSb／InAs HEMT结构，其迁移率高达27300cm^2／V．s，该种结构将用于逻辑电路，它把Ⅲ一V族结构的高迁移率和si衬底的低成本、高硬度和大直径结合起来了。[第一段] |
| 关 键 词： | Ⅲ-V族 Si衬底 日本NTT公司 器件 性能 生长 si衬底 InAs |
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