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| 京大等三家开发成功SiC外延膜量产技术 | |
| 摘 要： | 京都大学、东京电子、罗姆等宣布，使用“量产型SiC（碳化硅）外延膜生长试制装置”，确立对SiC晶圆进行大批量统一处理的技术已经有了眉目。由此具备耐高温、耐高压、低损耗、大电流及高导热系数等特征的功率半导体朝着实用化迈出了一大步。目前，三家已经开始使用该装置进行功率半导体的试制，第一段] |
| 关 键 词： | 量产技术 SiC 外延膜 功率半导体 开发 京都大学 统一处理 导热系数 |
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