| MTM反熔丝单元编程特性研究 |
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| 引用本文： | 王印权,刘国柱,徐海铭,郑若成,洪根深.MTM反熔丝单元编程特性研究[J].电子与封装,2015(3). |
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| 作者姓名： | 王印权 刘国柱 徐海铭 郑若成 洪根深 |
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| 作者单位： | 中国电子科技集团公司第58研究所,江苏无锡,214035 |
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| 摘 要： | 主要研究了编程参数对MTM反熔丝单元编程特性的影响,包括编程电压、编程电流、编程次数等。结果表明在满足最低编程电压条件下,编程电压的增大对反熔丝编程电阻无显著影响。编程电流对编程电阻的影响较大,编程电流越大,反熔丝编程电阻越小。编程次数的增多可减小编程电阻,但离散性增大。
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| 关 键 词： | MTM反熔丝单元 编程电阻 编程电压 编程次数 |
Study of Metal to Metal Antifuse Cell Programming Characteristics |
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| WANG Yinquan,LIU Guozhu,XU Haiming,ZHENG Ruocheng,HONG Genshen.Study of Metal to Metal Antifuse Cell Programming Characteristics[J].Electronics & Packaging,2015(3). |
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| Authors: | WANG Yinquan LIU Guozhu XU Haiming ZHENG Ruocheng HONG Genshen |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | MTM antifuse cell on-state resistance programming voltage programming times |
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