| 应力诱发的电迁移失效分析 |
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| 引用本文： | 陈选龙,石高明,蔡伟,邝贤军.应力诱发的电迁移失效分析[J].电子产品可靠性与环境试验,2015,33(2). |
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| 作者姓名： | 陈选龙 石高明 蔡伟 邝贤军 |
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| 作者单位： | 1. 工业和信息化部电子第五研究所,广东广州,510610
2. 工业和信息化部电子第五研究所华东分所,江苏苏州,215011 |
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| 摘 要： | 电迁移是半导体器件常见的失效机理,可以导致金属的桥连或者产生空洞,引起短路或者开路等互连失效.总结了两种典型的电迁移失效模式:热电迁移和电化学迁移,阐述了两种电迁移的失效应力诱发条件,以及失效分析方法.通过失效分析案例研究,加深对两种失效机理的认识并提供电迁移失效分析的基本思路.
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| 关 键 词： | 热电迁移 电化学迁移 失效机理 电阻 铝金属化 集成电路 互连 |
Stress Induced Electromigration Failure Analysis |
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| CHEN Xuan-long,SHI Gao-ming,CAI Wei,KUANG Xian-jun.Stress Induced Electromigration Failure Analysis[J].Electronic Product Reliability and Environmental Testing,2015,33(2). |
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| Authors: | CHEN Xuan-long SHI Gao-ming CAI Wei KUANG Xian-jun |
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