基于0.18μm的无电阻无运放低功耗带隙基准源设计

设计了一种无电阻和运算放大器的带隙基准源来降低带隙基准源电路设计的复杂度。采用自偏置结构来避免设计启动电路和偏置电路,所有的MOS管都工作在亚阈值区域以实现低功耗设计,使得整个电路结构能在1.2 V的低电压下工作,此外采用了由BJT构成的高阶温度补偿电路改善电路的温漂系数。本电路采用SMIC 0.18μm CMOS混合工艺,仿真结果表明,在1.2 V的电源电压下,在-10~110℃之间,基准电压为579 m V,温漂系数仅为8.4×10-6℃-1,功耗仅为742 n W,版图面积仅为5.35×10-9 m2。