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ZnO对BaSm_2Ti_4O_(12)陶瓷性能的影响
引用本文:于轩,谢广超,秦旺洋,贾路方,陈波.ZnO对BaSm_2Ti_4O_(12)陶瓷性能的影响[J].电子与封装,2015(4):36-40.
作者姓名:于轩  谢广超  秦旺洋  贾路方  陈波
作者单位:汉高华威电子股份有限公司,江苏连云港,222004
摘    要:讨论了Zn O对Ba Sm2Ti4O12介质陶瓷烧结机制和微波介电性能的影响。结果表明:Zn O添加能推动Ba Sm2Ti4O12微波介质陶瓷的烧结,可至少将其烧结温度降低至1 280℃。当添加过多的Zn O时,Zn2+会进入晶格,可能导致晶格畸变,由此造成颗粒间产生微小孔隙及晶格内形成许多缺陷,降低了材料的εr和Q×f值。含0.5 wt%Zn O的Ba Sm2Ti4O12试样在1 280℃烧结时,综合介电性能最好:εr=76.46,Q×f=6 334 GHz。

关 键 词:BaSm2Ti4O12  ZnO  烧结机制  介电性能

Effects of ZnO on Properties of BaSm2Ti4O12Ceramics
YU Xuan,XIE Guangchao,QIN Wangyang,JIA Lufang,CHEN Bo.Effects of ZnO on Properties of BaSm2Ti4O12Ceramics[J].Electronics & Packaging,2015(4):36-40.
Authors:YU Xuan  XIE Guangchao  QIN Wangyang  JIA Lufang  CHEN Bo
Abstract:
Keywords:BaSm2Ti4O12  ZnO  sintering mechanism  dielectric properties
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