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基于神经元MOS器件的施密特触发器设计
引用本文:雷晶,. 基于神经元MOS器件的施密特触发器设计[J]. 电子器件, 2007, 30(6): 2057-2060
作者姓名:雷晶  
作者单位:75753部队,广州,510600
摘    要:为实现施密特触发器低功耗、回差可控,将神经元MOS器件的控阈技术用于施密特触发器的设计中,设计出基于神经元MOS器件的施密特触发器,并且进一步提出了外部可控回差的施密特触发器的设计.通过HSPICE对电路进行模拟,实验表明此设计仅需2个MOS管,功耗降低30%.并且这种通过改变外部电压值调整回差电压大小的方法比以往的方法更为方便实用.

关 键 词:神经元MOS  施密特触发器  控阈技术  回差
文章编号:1005-9490(2007)06-2057-04
修稿时间:2007-01-08

Schmitt trigger The Design Based On Neuron MOSFET Device
LEI Jing. Schmitt trigger The Design Based On Neuron MOSFET Device[J]. Journal of Electron Devices, 2007, 30(6): 2057-2060
Authors:LEI Jing
Affiliation:Troop 75753; GuangZhou 510600; China
Abstract:Apply the Threshold-ontrollable technique of Neuron MOSFET device in the design of Schmitt trigger, which makes the Schmitt trigger more simple and reduce its power consumption compared to the traditional Neuron MOSFET device. Based on this method, a Schmitt trigger whose voltage hysteresis can be tuned from outside is proposed. It is more convenient and effective to adjust the voltage hysteresis by tuning the voltage outside.
Keywords:Neuron MOSFET  Schmitt trigger  threshold-controllable technique  voltage hysteresis
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