| Nc-Si:H薄膜器件的研究 |
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| 引用本文： | 韦文生,徐刚毅,王天民,张春熹.Nc-Si:H薄膜器件的研究[J].材料导报,2004,18(1):76-79. |
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| 作者姓名： | 韦文生 徐刚毅 王天民 张春熹 |
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| 作者单位： | 北京航空航天大学理学院材料物理与化学研究中心,北京,100083;北京航空航天大学光电技术研究所,北京,100083;中国科学院上海微系统与,信息技术研究所,上海,200050;北京航空航天大学理学院材料物理与化学研究中心,北京,100083;北京航空航天大学光电技术研究所,北京,100083 |
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| 基金项目： | 高等学校博士学科点专项科研项目，北京航空航天大学校科研和教改项目 |
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| 摘 要： | 介绍了氢化纳米硅(nc-Si:H)薄膜在电子学器件和光电转换器件(如隧道二极管、异质结二极管、变容二极管、单电子晶体管、太阳能电池、发光二极管)等方面的研究进展,分析了这些器件的性能与nc-Si:H薄膜结构之间的关系,阐述了新型器件的优点.
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| 关 键 词： | nc-Si:H薄膜 隧道二极管 异质结二极管 变容二极管 太阳能电池 单电子晶体管 发光二极管 |
A Review of Research on Devices Using nc-Si:H Film |
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| WEI Wensheng.A Review of Research on Devices Using nc-Si:H Film[J].Materials Review,2004,18(1):76-79. |
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| Authors: | WEI Wensheng |
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| Affiliation: | WEI Wensheng~ |
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| Abstract: | Research advances in electronic devices and photoelectricity transition devices such as tunneling diode, heterojunction diode, varied capacitance diode, single electronic transistor, solar cell and light emitting diode(LED)using hydrogenated nano-crystalline silicon(nc-Si:H)films are reviewed in this paper. The relation ship between the performance of these devices and the structures of nc-Si:H films is analyzed. The advantages of these novel devices are pointed out. |
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| Keywords: | nc-Si:H film tunneling diode heterojunction diode varied capacitance diode solar cell single electronic transistor light emitting diode |
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