| 含氮直拉硅中复合浅施主的光热电离光谱研究 |
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| 引用本文： | 胡灿明,祁明维.含氮直拉硅中复合浅施主的光热电离光谱研究[J].红外与毫米波学报,1991,10(5):327-331. |
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| 作者姓名： | 胡灿明 祁明维 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家实验室，中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家实验室，中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家实验室，中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家实验室，中国科学院上海冶金研究所，复旦大学物理系，复旦大学物理系 上海 200083，上海 200083，上海 200083，上海 200083，上海 200050，上海 200433，上海 200433 |
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| 摘 要： | 报道N型含氮直拉硅单晶的光热电离光谱(PTIS)除观察到P的谱线系列外,还观察到三个与氮、氧有关的复合型浅施主中心D(N-O)的谱线系,首次报道了它们3p_±以上的谱线位置,并精确测定了其电离能为36.16meV、36.41meV和37.37meV。变温分析表明,它们不是源于同一化学中心的基态分裂,而是独立的复合施主中心。
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| 关 键 词： | 直拉硅 复合浅施主 光热电离谱 硅 |
PHOTOTHERMAL IONIZATION SPECTRA OF SHALLOW COMPLEX DONORS IN Cz-Si DOPED WITH NITROGEN |
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| HU CANMIN,HUANG YEXIAO,YE HONGJUAN,SHEN XUECHU.PHOTOTHERMAL IONIZATION SPECTRA OF SHALLOW COMPLEX DONORS IN Cz-Si DOPED WITH NITROGEN[J].Journal of Infrared and Millimeter Waves,1991,10(5):327-331. |
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| Authors: | HU CANMIN HUANG YEXIAO YE HONGJUAN SHEN XUECHU |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Cz-Si nitrogen-oxygen complex shallow donors photothermal ionization spectroscopy |
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