| Si_3N_4超微粒的RF－CVD合成及其介电性质 |
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| 引用本文： | 朱以华,朱宏杰,韩今依,李春忠,胡黎明.Si_3N_4超微粒的RF－CVD合成及其介电性质[J].硅酸盐学报,1996(3). |
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| 作者姓名： | 朱以华 朱宏杰 韩今依 李春忠 胡黎明 |
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| 作者单位： | 华东理工大学技术化学物理研究所，国家超细粉末工程研究中心 |
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| 摘 要： | 利用自制的ＲＦ－ＣＶＤ装置合成了Ｓｉ_３Ｎ_４超微粒。着重考察了反应气混合方式对反应机理、化学含量、粒子形态及凝聚结构的影响。得到的Ｓｉ＿３Ｎ＿４粒子的典型尺寸为１０～５０ｎｍ，并且凝聚形成分形结构，其对应不同反应温度合成的粒子的分形维数约在２．１５到１．７４之间。非晶Ｓｉ＿３Ｎ＿４超微粒经１ＧＰａ高压压制，可看成是Ｓｉ＿３Ｎ＿４粒子和界面空隙组成的多相复合材料，它的异常介电性质能够用多相材料性质的逾渗理论得到解释。
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| 关 键 词： | 等离子体，化学气相淀积，氮化硅，超微粒，介电性质 |
SYNTHESIS OF Si_3N_4 ULTRAFINE POWDER BY RF-CVD PROCESS AND ITS DIELECTRIC PROPERTIES |
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| Zhu Yihua, Zhu Hongjie, Han Jingyi, Li Chunzhong,Hu Liming.SYNTHESIS OF Si_3N_4 ULTRAFINE POWDER BY RF-CVD PROCESS AND ITS DIELECTRIC PROPERTIES[J].Journal of The Chinese Ceramic Society,1996(3). |
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| Authors: | Zhu Yihua Zhu Hongjie Han Jingyi Li Chunzhong Hu Liming |
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| Keywords: | s: plasma CVD silicon nitride ultrafine powders dielectric properties |
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