| 日盲探测器高Al组分n-Al0.6Ga0.4N欧姆接触 |
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| 引用本文： | 朱雁翎,杜江锋,罗木昌,赵红,赵文伯,黄烈云,姬洪,于奇,杨谟华.日盲探测器高Al组分n-Al0.6Ga0.4N欧姆接触[J].半导体学报,2008,29(9):1661-1665. |
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| 作者姓名： | 朱雁翎 杜江锋 罗木昌 赵红 赵文伯 黄烈云 姬洪 于奇 杨谟华 |
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| 作者单位： | 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室，成都 610054;电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室，成都 610054;重庆光电技术研究所，重庆 400060;重庆光电技术研究所，重庆 400060;重庆光电技术研究所，重庆 400060;重庆光电技术研究所，重庆 400060;电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室，成都 610054;电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室，成都 610054;电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室，成都 610054 |
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| 摘 要： | 研究了应用于日盲探测器的高Al组分Si掺杂n型Al0.6Ga0.4N与两层金属层Ti(20nm)/Al(100nm)之间的欧姆接触. 在制作金属电极前用煮沸王水对样片进行表面预处理，金属制作后再在N2氛围中做快速热退火处理. 使用高精度XRD测试样品表面特性，并对不同温度下的情况进行比较. 样品的比接触电阻率是用环形传输线模型通过I-V测试得到. 670℃下90s退火得到最优ρc为3.42E-4Ω·cm2. 将该处理方法应用到实际的背照式AlGaN p-i-n日盲探测器中，探测器的光谱响应度和反向特性等参数得到很大的优化.
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| 关 键 词： | 高铝n-AlGaN 欧姆接触 退火 背光照 pin日盲探测器 |
| 收稿时间： | 3/26/2008 9:57:07 PM |
| 修稿时间： | 5/7/2008 8:28:44 PM |
Ohmic Contacts to n-Type Al0.6Ga0.4N for Solar-Blind Detectors |
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| Zhu Yanling,Du Jiangfeng,Luo Muchang,Zhao Hong,Zhao Wenbo,Huang Lieyun,Ji Hong,Yu Qi and Yang Mohua.Ohmic Contacts to n-Type Al0.6Ga0.4N for Solar-Blind Detectors[J].Chinese Journal of Semiconductors,2008,29(9):1661-1665. |
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| Authors: | Zhu Yanling Du Jiangfeng Luo Muchang Zhao Hong Zhao Wenbo Huang Lieyun Ji Hong Yu Qi and Yang Mohua |
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| Affiliation: | State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices,University of Electronic Science and Technology of China,Chengdu 610054,China;State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices,University of Electronic Science and Technology of China,Chengdu 610054,China;Chongqing Optoelectronics Research Institute,Chongqing 400060,China;Chongqing Optoelectronics Research Institute,Chongqing 400060,China;Chongqing Optoelectronics Research Institute,Chongqing 400060,China;Chongqing Optoelectronics Research Institute,Chongqing 400060,China;State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices,University of Electronic Science and Technology of China,Chengdu 610054,China;State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices,University of Electronic Science and Technology of China,Chengdu 610054,China;State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices,University of Electronic Science and Technology of China,Chengdu 610054,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | high-Al content n-AlGaN ohmic contact anneal back-illumination solar-blind p-i-n detector |
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