| GaN的ECR-PEMOCVD生长中衬底清洗和氮化的分析 |
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| 引用本文： | 马世猛,徐茵,顾彪,秦福文,孙万峰.GaN的ECR-PEMOCVD生长中衬底清洗和氮化的分析[J].半导体技术,2006,31(3):212-216. |
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| 作者姓名： | 马世猛 徐茵 顾彪 秦福文 孙万峰 |
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| 作者单位： | 大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,大连,116024;大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,大连,116024;大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,大连,116024;大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,大连,116024;大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,大连,116024 |
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| 摘 要： | 在改进的电子回旋共振(ECR)等离子体增强金属有机物化学汽相沉积(ECR-PEMOCVD)装置(ESPD-U)中,以氮等离子体为氮源,三乙基镓(TEG)为镓源,在蓝宝石(α-Al2O3)衬底上生长氮化镓(GaN)薄膜.在不同的温度、氮氢流量下,分别对α-Al2O3衬底进行等离子体清洗和氮化,并用RHEED实时监测.通过对RHEED图像的分析,得出衬底清洗和氮化的最佳条件.
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| 关 键 词： | 化学汽相沉积 反射高能电子衍射 氮化镓 蓝宝石 氮化 |
| 文章编号： | 1003-353(2006)03-0212-05 |
| 收稿时间： | 2005-09-20 |
| 修稿时间： | 2005年9月20日 |
RHEED Analys of Cleaning and Nitriding of Substrates in GaN Films Growth by ECR-PEMOCVD |
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| MA Shi-meng,XU Yin,GU Biao,QIN Fu-wen,SUN Wan-feng.RHEED Analys of Cleaning and Nitriding of Substrates in GaN Films Growth by ECR-PEMOCVD[J].Semiconductor Technology,2006,31(3):212-216. |
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| Authors: | MA Shi-meng XU Yin GU Biao QIN Fu-wen SUN Wan-feng |
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| Affiliation: | State Key Laboratory of Material Modification by Laser, Ion and Electron Beams, Dalian University of Technology, Dalian 116024, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | MOCVD RHEED GaN sapphire nitrification |
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