4096×4096元全帧转移CCD的设计和研制 |
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作者姓名: | 王颖 权利 张坤 周建勇 |
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作者单位: | 1. 重庆光电技术研究所,重庆,400060 2. 中国国防科技信息研究中心,北京,100142 |
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基金项目: | 国家核高基重大专项支持课题 |
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摘 要: | 重点讨论了像元尺寸为11μm×11μm的4096×4096元可见光CCD全帧转移结构和技术性能参数的设计,采用CCD埋沟工艺和辐射加固技术,研制出了高性能4096X4096元可见光CCD。结果表明器件动态范围达到75dB,读出噪声电子数为30,暗电流产生率为2mV/s,响应非均匀性为2%,非线性为0.4%,且具有抗γ射线辐射能力。
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关 键 词: | 全帧转移CCD设计与研制 测试结果 |
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