|
|||||
|
|
| SiC/MoSi2复合材料500℃氧化行为研究 | |
| 引用本文： | 席俊杰,王利秋.SiC/MoSi2复合材料500℃氧化行为研究[J].材料热处理学报,2008,29(5). |
| 作者姓名： | 席俊杰 王利秋 |
| 作者单位： | [1]郑州航空工业管理学院机电工程学院,河南郑州450015 [2]中国建材装备有限公司,北京100037 |
| 摘 要： | 研究了不同SiC体积分数（30%-50%）的SiC/MoSi2复合材料低温500℃的氧化性能。结果表明：SiC/MoSi2复合材料在低温（500℃）时具有优异的抗氧化性能,氧化500h没有发生氧化粉化现象。复合材料的氧化增重随SiC体积分数的增加而减少。复合材料表面的抗氧化保护层均匀致密,材料内部缺陷少,材料内部晶界没有发生Mo与Si的氧化,材料的抗低温氧化性能得到显著提高。 |
| 关 键 词： | SiC/MoSi2复合材料 低温氧化 氧化粉化 |
| 本文献已被 维普 等数据库收录！ | |