成膜电位对GH3536在NaNO_3溶液中钝化膜性能的影响

通过塔菲尔极化曲线、恒电位极化曲线、交流阻抗谱及Mott-Schottky曲线(M-S曲线)等测试方法对固溶处理锻件GH3536在NaNO_3溶液中钝化膜的性能进行了研究。结果表明:GH3536的钝化平台区间为0～0.87 V,钝化膜的维钝电流随恒电位增大而增大;容抗弧半径、最大阻抗膜值、钝化膜膜厚随钝化电位的增大而减小,均在0.8 V时达到最小值;恒电位极化30 min后,钝化膜在0～0.2 V钝化平台内M-S曲线呈现N型半导体特征,而在0.2～0.8 V内呈现P型半导体特征。通过研究分析钝化膜的性能随成膜电位变化的规律,可为后续进行电化学去除奠定理论基础。