刻槽剥离砷化镓肖特基势垒栅场效应晶体管 |
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引用本文: | 中谷正昭,隈部久雄,黄礼蓥.刻槽剥离砷化镓肖特基势垒栅场效应晶体管[J].微纳电子技术,1976(Z1). |
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作者姓名: | 中谷正昭 隈部久雄 黄礼蓥 |
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摘 要: | 砷化镓肖特基势垒栅场效应晶体管(以下缩写成 GaAs SB FET)在微波领域中与硅双极晶体管相比显示出更多的优良特性,在微波通信设备的微波放大器和振荡器中,从小信号低噪声和大功率放大二个方面进行着研究,现在已接近实用阶段。要想提高 SBFET 的性能,有必要把器件结构的最佳设计技术、含有缓冲层的亚微米外延生长技术、源和漏的欧姆电极形成技术,与缩短栅长相关的微细图形制造技术等许多技术加以有机结合起来。
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