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| 非晶硅敏感器件研究进展 | |
| 引用本文： | 田敬民.非晶硅敏感器件研究进展[J].传感技术学报,1992,5(4):58-63. |
| 作者姓名： | 田敬民 |
| 作者单位： | 陕西机械学院自动化工程系 |
| 摘 要： | 非晶半导体材料由于制备工艺较简单,成本低且具有不同于晶态半导体的特殊的电学和光学性质,已成为发展半导体敏感器件一个新的动向.作为一种新型的电子材料,由硅烷辉光放电制备的氢化非晶硅(a-Si:H)膜是非晶半导体的典型代表.这是因为α-Si:H膜通过掺杂能够形成PN结,即能够实现价电子的控制.因此,本世纪70年代后期围绕α-Si:H的应 |
| 关 键 词： | 敏感器件 非晶硅 研究 |
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