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一种新颖的低温硅片直接键合技术
引用本文:徐晨,霍文晓,杨道虹,赵慧,赵林林,沈光地. 一种新颖的低温硅片直接键合技术[J]. 中国机械工程, 2005, 16(Z1): 471-472
作者姓名:徐晨  霍文晓  杨道虹  赵慧  赵林林  沈光地
作者单位:北京工业大学,北京市光电子技术实验室,北京,100022
基金项目:北京市教委资助项目(KM200310005009)
摘    要:提出一种使用CF4等离子体激活处理硅片表面来降低退火温度的低温硅片直接键合新方法.硅片用CF4等离子体激活处理,经过亲水处理预键合后,再在N2保护下进行40h 300℃的热处理,硅片的键合强度达到了体硅本身的强度.

关 键 词:微机电系统(MEMS)  低温硅片直接键合  等离子体  CF4
文章编号:1004-132X(2005)S1-0471-02
修稿时间:2005-03-21

A Novel Method of Low Temperature Si-Si Directly Bonding
Xu Chen,Huo Wenxiao,Yang Daohong,Zhao Hui,Zhao Linlin,Shen Guangdi. A Novel Method of Low Temperature Si-Si Directly Bonding[J]. China Mechanical Engineering, 2005, 16(Z1): 471-472
Authors:Xu Chen  Huo Wenxiao  Yang Daohong  Zhao Hui  Zhao Linlin  Shen Guangdi
Abstract:
Keywords:
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