| 含氯气氛退火对CdTe薄膜性质影响的交流阻抗研究 |
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| 引用本文： | 付文博,刘庭良,何绪林,张静全,冯良桓,武莉莉,李卫,黎兵,曾广根,王文武. 含氯气氛退火对CdTe薄膜性质影响的交流阻抗研究[J]. 功能材料, 2011, 42(12) |
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| 作者姓名： | 付文博 刘庭良 何绪林 张静全 冯良桓 武莉莉 李卫 黎兵 曾广根 王文武 |
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| 作者单位： | 四川大学材料科学与工程学院,四川成都,610064 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目 |
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| 摘 要： | 对近空间升华制备的CdTe薄膜进行了CdCl2气氛下热处理。测量了样品在室温下的交流阻抗特性,基于恒相位角元件（CPE）等效电路拟合所测量的复阻抗谱,分析了退火工艺对CdTe薄膜的晶粒体电阻、晶界电阻、弛豫时间的影响。结果表明,随退火温度的增加,晶粒电阻增大,晶界电阻减小,弛豫时间缩短。
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| 关 键 词： | CdTe 多晶薄膜 交流阻抗 晶界 |
Complex impedance spectroscopy analysis of CdCl_2 annealing on the CdTe polycrystalline thin films |
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| Keywords: | CdTe polycrystalline thin films complex impedance spectroscopy grain boundary |
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