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| 基于宽禁带半导体材料氮化镓的原子力显微镜分析 | |
| 引用本文： | 王亚伟.基于宽禁带半导体材料氮化镓的原子力显微镜分析[J].无线互联科技,2024(4):40-42. |
| 作者姓名： | 王亚伟 |
| 作者单位： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 基金项目： | 国家重点研发计划;项目编号：2022YFB3404304； |
| 摘 要： | 微波功率器件在无线通信技术领域扮演着重要角色，而宽禁带半导体材料对微波功率器件的研究起着关键作用。氮化镓作为宽禁带半导体的代表，具有介电常数小、载流子饱和速率高、热导率高等优良特性。文章通过对氮化镓外延材料进行深入的原子力显微镜(Atomic Force Microscope, AFM)分析，能够更精准地表征氮化镓外延材料，从而助力微波功率器件的发展。 |
| 关 键 词： | 氮化镓 原子力显微镜 表面形貌 |