| 光照区域结构参数对硅光电晶体管性能的影响 |
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| 引用本文： | 周涛,吴志颖,吴元庆,路春希. 光照区域结构参数对硅光电晶体管性能的影响[J]. 硅酸盐通报, 2016, 35(1): 112-118 |
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| 作者姓名： | 周涛 吴志颖 吴元庆 路春希 |
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| 作者单位： | 渤海大学新能源学院,锦州,121000 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金项目(11304020) |
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| 摘 要： | 利用Silvaco-TCAD半导体器件仿真软件,全面系统地分析了光照区域结构参数对硅NPN型红外光电晶体管光电转换特性的影响.仿真结果表明:厚度为240 nm/130 nm的SiO2/Si3 N4双层减反射膜在特征波长(λ =0.88μm)处具有最优的光吸收效果和峰值光响应度(RM);为满足器件对红外波段的有效吸收和响应,外延层厚度应选择为55 ～ 60 μm;提高外延层电阻率虽可增大集-射击穿电压(BVCEO),但较高的外延层电阻率同时会降低红外波段光谱响应度;为了获得较高的红外光谱响应度,同时抑制可见光波段的响应,光照区域基区表面浓度应选择为5×1019 cm-3,结深应选择为2.5μm.
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| 关 键 词： | 光电晶体管 减反射膜 电阻率 少子寿命 掺杂浓度 光谱响应度, |
Influence of Structure Parameters of Light Region on Output Properties of Silicon Phototransistors |
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| ZHOU Tao,WU Zhi-ying,WU Yuan-qing,LU Chun-xi. Influence of Structure Parameters of Light Region on Output Properties of Silicon Phototransistors[J]. Bulletin of the Chinese Ceramic Society, 2016, 35(1): 112-118 |
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| Authors: | ZHOU Tao WU Zhi-ying WU Yuan-qing LU Chun-xi |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | phototransistors antireflection coating resistivity minority carrier lifetime doping concentration spectral responsivity, |
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