种子层及掺杂浓度对溶胶-凝胶法制备ZnO∶Al薄膜光电性能的影响 |
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引用本文: | 彭寿,汤永康,王芸,金良茂,甘治平,王东,王萍萍,操芳芳.种子层及掺杂浓度对溶胶-凝胶法制备ZnO∶Al薄膜光电性能的影响[J].硅酸盐通报,2016,35(2):543-549. |
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作者姓名: | 彭寿 汤永康 王芸 金良茂 甘治平 王东 王萍萍 操芳芳 |
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作者单位: | 蚌埠玻璃工业设计研究院浮法玻璃新技术国家重点实验室,蚌埠,233000 |
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基金项目: | 国家“973”计划(2012CB724608)%安徽省自然科学基金(1408085MKL67)%安徽省科技攻关计划项目(1301021015) |
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摘 要: | 本文采用溶胶-凝胶法以提拉的方式在普通玻璃基底上制备出n型掺杂具有优良光电性能的氧化锌掺铝(AZO)薄膜,并以磁控溅射AZO薄膜为种子层引导液相法所制备AZO薄膜生长.Al掺杂浓度区间为0.25at%~5.00at%.通过X射线衍射仪、场发射扫描电子显微镜、轮廓仪、方块电阻测试仪、霍尔效应测试仪、紫外-可见-红外分光光度计分别研究了薄膜物相、微观结构、膜厚及光电性能,进一步分析了Al掺杂浓度、种子层对薄膜光电性能的影响.结果表明:经10次提拉所制备薄膜可见光透过率85%以上.Al掺杂浓度、种子层的引入对AZO薄膜的光电性能有重要影响.无种子层时,掺杂浓度为0.50at%的AZO薄膜在5% H2、95%N2还原气氛下于550℃保温60 min得到最优电学性能,方块电阻约为166 Ω/□,电阻率约为1.99×10-3 Ω·cm;预镀AZO种子层所制备薄膜方块电阻下降到约42Ω/□,电阻率下降到约7.56×10-4Ω·cm.
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关 键 词: | Al掺杂浓度 种子层 铝掺杂氧化锌薄膜 光电性能 |
Influence of Al Concentration and Seed Layers on Electro-optical Properties of Al Doped ZnO Thin Films Prepared by Sol-gel |
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Abstract: | |
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Keywords: | Al doping concentration seed layer aluminum doped zinc oxide films electro-optical properties |
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