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4H-SiC无线无源高温压力传感器设计
引用本文:喻兰芳,梁庭,熊继军,崔海波,刘雨涛,张瑞. 4H-SiC无线无源高温压力传感器设计[J]. 电子技术应用, 2014, 40(11)
作者姓名:喻兰芳  梁庭  熊继军  崔海波  刘雨涛  张瑞
作者单位:中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室,山西太原030051;中北大学电子测试技术国防科技重点实验室,山西太原030051
基金项目:国家自然科学基金资助项目,国家重点基础研究发展计划(“973”计划)资助项目
摘    要:高温压力传感器研制的主要目的是解决高温恶劣环境下的压力测量问题,SiC是制造高温压力传感器的理想材料,结合薄膜技术与陶瓷厚膜技术,提出了一种新型的4H-SiC无线无源电容式高温压力传感器设计方案。应用Ansys有限元分析软件进行仿真,600℃时灵敏度为2.65 MHz/bar,说明传感器在高温下具有较高的灵敏度,对制备过程中的关键工艺——SiC深刻蚀进行了验证,刻蚀深度达到124μm,满足传感器制备要求。

关 键 词:H-SiC  无线无源  高温压力传感器  Ansys  灵敏度  SiC深刻蚀

Design of 4H-SiC wireless passive high temperature pressure sensor
Yu Lanfang,Liang Ting,Xiong Jijun,Cui Haibo,Liu Yutao,Zhang Rui. Design of 4H-SiC wireless passive high temperature pressure sensor[J]. Application of Electronic Technique, 2014, 40(11)
Authors:Yu Lanfang  Liang Ting  Xiong Jijun  Cui Haibo  Liu Yutao  Zhang Rui
Abstract:
Keywords:4H-SiC  wireless passive  high temperature pressure sensor  Ansys  sensitivity  SiC deep etch
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
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