| SiC材料氧化行为研究进展 |
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| 引用本文： | 周秋生,李小斌,熊翔,刘业翔. SiC材料氧化行为研究进展[J]. 材料科学与工程学报, 2000, 18(3): 110-113,129 |
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| 作者姓名： | 周秋生 李小斌 熊翔 刘业翔 |
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| 作者单位： | 1. 中南工业大学冶金科学与工程系
2. 中南工业大学粉末冶金国家重点实验室,湖南,长沙,410083 |
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| 摘 要： | 本文对各种纯 Si C及含有少量杂质的 Si C在不同条件下的氧化行为进行了全面系统的概述。对今后 Si C氧化行为的研究具有一定的指导意义。
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| 关 键 词： | SiC 氧化 |
Status of Studies on the Oxidation of Silicon Carbide |
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| ZHOU Qiu-sheng,LI Xiao-bin,XIONG Xiang,LIU Ye-xiang. Status of Studies on the Oxidation of Silicon Carbide[J]. Journal of Materials Science and Engineering, 2000, 18(3): 110-113,129 |
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| Authors: | ZHOU Qiu-sheng LI Xiao-bin XIONG Xiang LIU Ye-xiang |
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| Affiliation: | ZHOU Qiu|sheng+1,LI Xiao|bin+1,XIONG Xiang+2,LIU Ye|xiang+1 |
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| Abstract: | Development of the studies on the oxidation of purified and contaminated Silicon Carbide under different oxidation conditions was systematically summarized in this paper.It will benefit the further research on the oxidation behavior of silicon carbide.; |
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| Keywords: | Silicon Carbide Oxidation |
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