| 平板显示器驱动芯片中NLDMOS寄生电容 |
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| 引用本文： | 李海松,孙伟锋,易扬波,俞军军,陆生礼. 平板显示器驱动芯片中NLDMOS寄生电容[J]. 半导体学报, 2005, 26(7): 1379-1383 |
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| 作者姓名： | 李海松 孙伟锋 易扬波 俞军军 陆生礼 |
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| 作者单位： | 东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心,南京,210096;东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心,南京,210096;东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心,南京,210096;东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心,南京,210096;东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心,南京,210096 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划) |
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| 摘 要： | 功率器件寄生电容的大小直接关系到平板显示器驱动芯片的功耗及性能．本文利用器件的动态电流来分析NLDMOS寄生电容特性．在不影响NLDMOS直流特性的前提下，通过改变鸟嘴位置，得到具有低寄生电容的高性能器件．将该器件应用于平板显示器驱动芯片高低压转换电路，模拟结果证明该电路的自身功耗降低了34%，高压输出对低压控制信号的扰动减小了32%．
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| 关 键 词： | 低功耗 鸟嘴 寄生电容 高低压转换电路 |
| 文章编号： | 0253-4177（2005）07-1379-05 |
| 收稿时间： | 2004-11-26 |
| 修稿时间： | 2005-01-18 |
Parasitical Capacitance of NLDMOS for a Flat Panel Display Driver IC |
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| Li Haisong,Sun Weifeng,Yi Yangbo,Yu Junjun,LU Shengli. Parasitical Capacitance of NLDMOS for a Flat Panel Display Driver IC[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2005, 26(7): 1379-1383 |
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| Authors: | Li Haisong Sun Weifeng Yi Yangbo Yu Junjun LU Shengli |
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| Abstract: | The parasitical capacitances of power devices greatly influence the power dissipation and performance of driver ICs for flat panel display.In this paper,the parasitical capacitances of NLDMOS are researched by analyzing the dynamic current characteristics,and optimized by changing the position of bird-beak,without any influence on the DC characteristics.Then,NLDMOS with low parasitical capacitance is applied to a level shifter circuit.Simulation results show that the power dissipation of the circuit is decreased by 34% while the cross-talk from the high voltage output to low voltage control signal is reduced by 32%. |
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