CdSnO3 的合成
、结构与气敏性质 |
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引用本文: | 王存,王弘,沈瑜生.CdSnO3 的合成
、结构与气敏性质[J].传感技术学报,1993,6(3):45-49. |
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作者姓名: | 王存 王弘 沈瑜生 |
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作者单位: | 中国科技大学材料科学与工程系
(王存,王弘),中国科技大学材料科学与工程系(沈瑜生) |
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摘 要: | 如今,人们深知单一组分半导体气敏材料,即使掺杂,其性能也终不能令人满意,因而出现具有特定结构的复合氧化物气敏材料,如ZnSnO_3、LaFeO_3以及稀土氧化物与二氧化锡的复合氧化物.作者为此研究了CdO和SnO_2复合氧化物的合成条件、结构及气敏性质,得到了一些有价值的结果.1 实验1.1 样品材料的制备与微结构测定
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关 键 词: | 半导体材料 CdSnO3 结构 气敏性质 |
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