| 采用USP-CVD沉积SnO2透明导电膜--F、Sb掺杂及特性研究 |
| |
| 引用本文： | 丁尔峰,崔容强,周之斌,赵亮,于化丛,赵占霞.采用USP-CVD沉积SnO2透明导电膜--F、Sb掺杂及特性研究[J].电源技术,2004,28(12):779-783. |
| |
| 作者姓名： | 丁尔峰 崔容强 周之斌 赵亮 于化丛 赵占霞 |
| |
| 作者单位： | 上海交通大学,物理系,太阳能研究所,上海,200240 |
| |
| 摘 要： | 以F、Sb掺杂,采用超声雾化喷涂化学气相沉积工艺制备出二氧化锡透明导电膜。对SnO2∶F薄膜的沉积工艺进行了研究,探索出最佳的工艺条件,沉积出方块电阻低达6 赘/□左右的高透过率透明导电薄膜,其可见光平均透过率可以达到85%。分析了HF和NH4F掺杂的不同点。对在两种最佳工艺条件下沉积的膜的结构、电学性质进行了研究。对SnO2∶Sb薄膜的电学性质进行了研究,用X射线衍射方法分析了在同一温度下,不同Sb掺杂浓度的膜的结构。并对薄膜的透过率、折射率及光学带隙等光学性质进行了分析。
|
| 关 键 词： | 超声雾化喷涂化学气相沉积(USP-CVD) SnO2∶F SnO2∶Sb NH4F HF |
| 文章编号： | 1002-087X(2004)12-0779-05 |
| 修稿时间： | 2004年2月27日 |
SnO2 thin film by an ultrasonic spray CVD process--doped with Sb and F |
| |
| DING Er-feng,CUI Rong-qiang,ZHOU Zhi-bin,ZHAO Liang,YU Hua-cong,ZHAO Zhan-xia.SnO2 thin film by an ultrasonic spray CVD process--doped with Sb and F[J].Chinese Journal of Power Sources,2004,28(12):779-783. |
| |
| Authors: | DING Er-feng CUI Rong-qiang ZHOU Zhi-bin ZHAO Liang YU Hua-cong ZHAO Zhan-xia |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
|
