| 掺硼纳米非晶硅的太阳能电池窗口层应用研究 |
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| 引用本文： | 李喆,张溪文,韩高荣.掺硼纳米非晶硅的太阳能电池窗口层应用研究[J].真空科学与技术学报,2009,29(2). |
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| 作者姓名： | 李喆 张溪文 韩高荣 |
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| 作者单位： | 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展规划(973计划)，浙江省科技计划项目纳米技术攻关及示范应用专项基金，高等学校科技创新工程重大项目 |
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| 摘 要： | 本文通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法沉积p型纳米非晶硅薄膜(na-si:H),系统地研究了掺杂气体比(B2H6/SIH4)、沉积温度、射频电源功率对薄膜结构、光学、电学性能的影响.研究表明,轻掺硼有利于非晶硅薄膜晶化,但随着掺硼量的增加,硼的"毒化"作用又使薄膜变为非晶态;与p型a_si:H相比,掺硼纳米硅薄膜的光学带隙Eopt较高,电导率较高,电导激活能较低,是一种很有潜力的太阳能电池窗口层材料.
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| 关 键 词： | 等离子体增强化学气相沉积 纳米非晶硅 硼掺杂 掺杂比 光学带隙 |
Growth and Characterization of Boron-Doped na-Si:H Films Used as Window Layer Material of Solar Cells |
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| Li Zhe,Zhang Xiwen,Han Gaorong.Growth and Characterization of Boron-Doped na-Si:H Films Used as Window Layer Material of Solar Cells[J].JOurnal of Vacuum Science and Technology,2009,29(2). |
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| Authors: | Li Zhe Zhang Xiwen Han Gaorong |
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