| 等离子体刻蚀处理大面积金刚石薄膜 |
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| 引用本文： | 苟立,郑元元,冉均国. 等离子体刻蚀处理大面积金刚石薄膜[J]. 微细加工技术, 2007, 0(1): 28-31 |
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| 作者姓名： | 苟立 郑元元 冉均国 |
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| 作者单位： | 四川大学,材料科学与工程学院,成都,610065 |
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| 摘 要： | 平整均匀的大面积金刚石膜是其在电子领域工业化应用的前提。采用微波等离子体化学气相沉积装置,分别用氢气、氮气加空气、氧气对大面积金刚石膜进行了等离子体处理,通过表面形貌和电阻率的均匀性表征金刚石膜的均匀性,用电阻率的大小表征绝缘性,并采用原子力显微镜测量膜的表面粗糙度。用氮气加空气处理后,金刚石膜的电阻率提高了5个数量级,达到了1013Ω.cm,更好地满足了电子器件对绝缘性的要求,且均匀性较好,表面粗糙度Ra为90 nm~111 nm,但平整性仍须改进。
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| 关 键 词： | 大面积金刚石膜 微波等离子体 等离子体后处理 电阻率 |
| 文章编号： | 1003-8213(2007)01-0028-04 |
| 修稿时间： | 2006-08-09 |
Plasma Treatment of Diamond Films with Large Area |
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| GOU Li,ZHENG Yuan-yuan,RAN Jun-guo. Plasma Treatment of Diamond Films with Large Area[J]. Microfabrication Technology, 2007, 0(1): 28-31 |
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| Authors: | GOU Li ZHENG Yuan-yuan RAN Jun-guo |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | diamond films with large area microwave plasma plasma treatment resistivity |
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