硅对仰制涂层“氧化缺口”破坏的作用

本文对比了渗铝和铝－硅涂层的高温抗氧化性能，并用金相和电子探针分析技术研究了涂层的显微组织，从而揭示出硅抑制涂层“氧化缺口”破坏的机理在于：硅降低了铝的内扩散活性，使镍的外扩散活性相对提高，使合金最外表面形成很薄的表层，从而避免了ＭＣ碳化物的直接裸露；硅促进了ＭＣ－Ｍ５Ｃ的转化，生成富Ｓｉ的Ｍ６Ｃ，从而改善了涂层中碳化物自身的抗氧化性能。