| 短沟道SiC MESFET亚阈值特性 |
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| 引用本文： | 韩茹,杨银堂,贾护军. 短沟道SiC MESFET亚阈值特性[J]. 功能材料与器件学报, 2008, 14(4) |
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| 作者姓名： | 韩茹 杨银堂 贾护军 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071;西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071;西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071 |
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| 基金项目： | 国防科技预研项目，国防科技预研项目 |
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| 摘 要： | 基于器件物理分析的方法,结合沟道电势二维解析模型,分析比较了漏极引致势垒降低效应(DIBL effect)对6H-及4H-SiC MESFET沟道势垒,阈值电压,以及亚阈值电流的影响,并研究了其温度特性.研究表明DIBL效应的存在使SiC MESFET的沟道势垒最小值随栅长及温度发生变化,并带来阈值电压及亚阈值电流的变化.栅长越大,温度越高,亚阚值倾斜因子Ns越小,栅压对沟道电流的控制能力增强,最终造成亚阈值电流随栅压的变化越快.
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| 关 键 词： | 碳化硅MESFET 沟道电势 漏极引致势垒降低效应 阈值电压 |
Subthreshold characteristics of short- channel SiC MESFETs |
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| HAN Ru,YANG Yin-tang,JIA Hu-jun. Subthreshold characteristics of short- channel SiC MESFETs[J]. Journal of Functional Materials and Devices, 2008, 14(4) |
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| Authors: | HAN Ru YANG Yin-tang JIA Hu-jun |
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