| 络合剂对化学水浴沉积 ZnS薄膜的影响 |
| |
| 引用本文： | 刘琪,冒国兵,敖建平. 络合剂对化学水浴沉积 ZnS薄膜的影响[J]. 功能材料, 2007, 38(3): 382-385 |
| |
| 作者姓名： | 刘琪 冒国兵 敖建平 |
| |
| 作者单位： | 安徽工程科技学院,机械系,安徽,芜湖,241000;南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津,300071 |
| |
| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划) , 安徽省高校青年教师科研项目 , 安徽省教育厅自然科学基金 |
| |
| 摘 要： | 采用不同络合剂化学水浴沉积ZnS薄膜,应用台阶仪、SEM、XRD、波谱仪等手段测定了ZnS薄膜的厚度、表面、物相结构及透过率等.结果表明,氨水体系沉积薄膜速度明显慢于另外两种体系,沉积的ZnS薄膜都为立方结构.柠檬酸钠体系沉积的ZnS 薄膜结晶和透过率最佳,但薄膜表面缺陷较多;氨水-联氨体系沉积的ZnS薄膜表面质量最佳,结晶和透过率也较好;氨水体系沉积的ZnS薄膜质量较差.用3种体系沉积的ZnS薄膜用于制备铜铟镓硒Cu(In,Ga)Se2太阳电池,氨水和氨水-联氨体系沉积的ZnS薄膜制备的电池转换效率明显高于柠檬酸钠体系沉积的ZnS制备的太阳电池.
|
| 关 键 词： | 化学水浴沉积(CBD) 络合剂 ZnS薄膜 Cu(InGa)Se2太阳电池 |
| 文章编号： | 1001-9731（2007）03-0382-04 |
| 修稿时间： | 2006-09-05 |
The influence of some complexing agents upon chemical bath depositing ZnS thin films |
| |
| LIU Qi,MAO Guo-bing,AO Jian-ping. The influence of some complexing agents upon chemical bath depositing ZnS thin films[J]. Journal of Functional Materials, 2007, 38(3): 382-385 |
| |
| Authors: | LIU Qi MAO Guo-bing AO Jian-ping |
| |
| Affiliation: | 1. Mechanical Engineering Department, Anhui University of Technology and Science, Wuhu 241000,China; 2. Institute of Photo-Electronic Thin Film Devices and Technique, Nankai University, Tianjin 300071,China |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | chemical bath deposition(CBD) complexing agents ZnS thin films Cu(In Ga)Se2 solar cells |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
|
