| 掺磷硅薄膜的微结构及光电特性研究 |
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| 引用本文： | 陈永生,王生钊,杨仕娥,郜小勇,卢景霄.掺磷硅薄膜的微结构及光电特性研究[J].真空科学与技术学报,2006,26(1):8-11. |
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| 作者姓名： | 陈永生 王生钊 杨仕娥 郜小勇 卢景霄 |
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| 作者单位： | 郑州大学物理工程学院,教育部材料物理重点实验室,郑州,450052 |
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| 摘 要： | 采用拉曼（Raman）散射谱、扫描电子显微镜（SEM）和X射线衍射（XRD）对掺磷硅薄膜的微结构进行了分析,并对掺杂前后薄膜的暗电导进行了测试,结果表明：掺P后导致薄膜的非晶化.与本征μc-Si：H薄膜相比,掺杂后薄膜暗电导率略有降低,同时在紫外-可见光区的透光率降低,但降低的程度与具体的沉积条件有关,同时研究发现掺杂薄膜容易进行快速光热退火晶化.
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| 关 键 词： | 微晶硅 暗电导 晶化率 透光率 |
| 文章编号： | 1672-7126（2006）01-008-04 |
| 收稿时间： | 2005-07-25 |
| 修稿时间： | 2005-07-25 |
Microstructures and Photo-electric Characteristics of Phosphorus-Doped Hydrogenated Silicon Films |
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| Chen Yongsheng,Wang Shengzhao,Yang Shi-e,Gao Xiaoyong,Lu Jingxiao.Microstructures and Photo-electric Characteristics of Phosphorus-Doped Hydrogenated Silicon Films[J].JOurnal of Vacuum Science and Technology,2006,26(1):8-11. |
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| Authors: | Chen Yongsheng Wang Shengzhao Yang Shi-e Gao Xiaoyong Lu Jingxiao |
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| Affiliation: | Key Laboratory of Materials Physics of Ministry of Education, Zhengzhou University, Zhengzhou 450052, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Microcrystalline silicon Dark conductivity Crystalline volume fraction Transmittivity |
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