| InGaN/GaN多量子阱电池的垒层结构优化及其光学特性调控 |
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| 作者姓名： | 侯彩霞 郑新和 彭鸣曾 杨静 赵德刚 |
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| 作者单位： | 北京科技大学数理学院;中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室,北京,100083 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金项目,中央高校基本科研基金项目 |
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| 摘 要： | InGaN基量子阱作为太阳电池器件的有源区时,垒层厚度设计以及实际生长对其光学特性的影响极为重要.采用金属有机化学气相沉积(MOVCD)技术,在蓝宝石衬底上外延生长了垒层厚度较厚的InGaN/GaN多量子阱,使用高分辨X射线衍射和变温光致发光谱研究了垒层厚度对InGaN多量子阱太阳电池结构的界面质量、量子限制效应及其光学特性的影响.较厚垒层的InGaN/GaN多量子阱的周期重复性和界面品质较好,这可能与垒层较薄时对量子阱的生长影响有关.同时,厚垒层InGaN/GaN多量子阱的光致发光光谱峰位随温度升高呈现更为明显的“S”形(红移-蓝移-红移)变化,表现出更强的局域化程度和更高的内量子效率.
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| 关 键 词： | InGaN/GaN多量子阱 金属有机化学气相沉积 光致发光 高分辨X射线衍射 |
| 收稿时间： | 2017-02-24 |
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