| 半导体致冷器对SLD光源内部电场的影响 |
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| 作者姓名： | 李真 贺慧勇 黄英俊 陈东泽 |
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| 作者单位： | 长沙理工大学物理与电子科学学院,长沙,410114;长沙理工大学物理与电子科学学院,长沙,410114;长沙理工大学物理与电子科学学院,长沙,410114;长沙理工大学物理与电子科学学院,长沙,410114 |
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| 摘 要： | 针对超辐射发光二极管(Super Luminescent Diode,SLD)光源输出光功率稳定性的需求,从光源的温控电路出发,建立了SLD恒流回路与半导体致冷器(TEC)之间的电场耦合模型,探讨了SLD光源的重要组件——TEC对其内部电场的影响;分析了光源内部不同组件间的分布电容.研究结果表明:温控电路产生的交流分量作用于光源内部半导体致冷器,产生时变电场,经分布电容耦合到恒流回路中,影响输出光功率的稳定性;SLD光源外壳接地良好,可减小分布电容,从而减小电场耦合对输出光功率的影响.
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| 关 键 词： | SLD 半导体致冷器 交流分量 分布电容 电场耦合 |
| 收稿时间： | 2017-03-20 |
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