| 高倍增超快高压GaAs光电导开关触发瞬态特性分析 |
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| 引用本文： | 施卫,梁振宪. 高倍增超快高压GaAs光电导开关触发瞬态特性分析[J]. 电子学报, 2000, 28(2): 20-23 |
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| 作者姓名： | 施卫 梁振宪 |
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| 作者单位： | 1.西安理工大学应用物理系,西安 710048;2.西安交通大学电气工程学院,西安 710049 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金!(No .5940 70 0 6)，陕西省教委专项科学基金!(No .99JK1 98) |
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| 摘 要： | 首次提出"发光畴"模型对强电场下GaAs光电导开关高倍增工作模式的物理机制进行解释.其要点是:光注入载流子引起开关电场畸变,开关偏置在触发电场阈值下因负阻效应产生高场畴,畴内发生碰撞电离引起载流子的雪崩倍增,相伴而生的辐射复合发射光子替代了已消失的触发光脉冲,畴的运动与发光使载流子以108cm/s的速度穿越电极间隙,畴生存条件决定Lock-on电场,当外电路的控制使开关电场不能维持畴的生存时,开关电阻恢复.
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| 关 键 词： | 光电导开关 Lock-on效应 碰撞电离 |
| 文章编号： | 0372-2112 (2000) 02-0020-04 |
| 收稿时间： | 1998-06-13 |
Analysis and Characteristic of High-Gain Ultra-Fast GaAs Photoconductive Switches |
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| SHI Wei,LIANG Zhen-xian. Analysis and Characteristic of High-Gain Ultra-Fast GaAs Photoconductive Switches[J]. Acta Electronica Sinica, 2000, 28(2): 20-23 |
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| Authors: | SHI Wei LIANG Zhen-xian |
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| Affiliation: | 1. 0048,China;2. Xi'an Jiaotong University,Xi'an 710049,China |
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| Abstract: | A model of luminous charge domain to analyze the characteristic of photoconductive switches has been first proposed.The switching procedure of high gain photoconductive switches can be described with an optically activated luminous charge domain.The formation,radiation transit and accumulations of the charge domain are related with the triggering and sustaining phase of photoconductive switches,respectively. |
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| Keywords: | photoconductive switches Lock on effect impact ionization |
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