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DC/DC电源模块可靠性的研究
引用本文:吕长志,马卫东,谢雪松,张小玲,刘扬,黄春益,李志国. DC/DC电源模块可靠性的研究[J]. 北京工业大学学报, 2010, 36(7)
作者姓名:吕长志  马卫东  谢雪松  张小玲  刘扬  黄春益  李志国
作者单位:北京工业大学,电子信息与控制工程学院,北京,100124;北京工业大学,电子信息与控制工程学院,北京,100124;北京工业大学,电子信息与控制工程学院,北京,100124;北京工业大学,电子信息与控制工程学院,北京,100124;北京工业大学,电子信息与控制工程学院,北京,100124;北京工业大学,电子信息与控制工程学院,北京,100124;北京工业大学,电子信息与控制工程学院,北京,100124
摘    要:对当前较广泛应用的DC/DC电源模块这一多芯片组件(MCM)的可靠性进行了研究.通过对模块使用可靠性的统计,利用ANSYS软件对模块表面温度分布的模拟得出影响其可靠性的关键器件为垂直双扩散金属-氧化物-半导体场效应晶体管(VDMOS)和肖特基势垒二极管(SBD).使用以器件参数退化为基础的恒定电应力、序进温度应力加速寿命试验方法分别获得VDMOS和SBD的失效敏感参数为VDMOS的跨导gm和SBD的反向漏电流IR;VDMOS和SBD的平均寿命分别为1.47×107h和4.3×107h.分析表明,这2种器件参数的退化均与器件的Na+沾污和Si-SiO2界面的退化有关,同时SBD的参数退化还与Al-Si界面的退化有关.

关 键 词:DC/DC电源模块  多芯片组件MCM  可靠性  加速寿命试验

Reliability of DC/DC Power Supply Module
L Chang-zhi,MA Wei-dong,XIE Xue-song,ZHANG Xiao-ling,LIU Yang,HUANG Chun-yi,LI Zhi-guo. Reliability of DC/DC Power Supply Module[J]. Journal of Beijing Polytechnic University, 2010, 36(7)
Authors:L Chang-zhi  MA Wei-dong  XIE Xue-song  ZHANG Xiao-ling  LIU Yang  HUANG Chun-yi  LI Zhi-guo
Affiliation:L(U) Chang-zhi,MA Wei-dong,XIE Xue-song,ZHANG Xiao-ling,LIU Yang,HUANG Chun-yi,LI Zhi-guo
Abstract:The reliability of DC /DC power supply module-multichip module was investigated.By statistics the failure of modules applied and analysis the temperature distribution of the module used ANSYS software,it has found that the key devices affecting the reliability are VDMOS and SBD in the module.Then the VDMOS and SBD were tested under constant electrical stress and progressive temperature stress based on the parameter degradation.It concludes that the failure sensitive parameter are transconductance gm for VDM...
Keywords:DC /DC power supply module  MCM  thermal analysis  reliability  accelerated life test  
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