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分类号
杂志ISSN号
基于CMOS工艺的低相噪宽带压控振荡器设计
作者姓名:
曹旭
作者单位:
杭州电子科技大学电子信息学院
摘 要:
采用CSMC0.18μm混合信号工艺。设计了一款应用于频率综合器的单片集成宽带压控振荡器。电路采用互补交叉耦合结构,各部分都经过精心构架,如管子的尺寸,元件的布局,电流源的大小等等,以获得最佳的相位噪声性能。振荡器采用多段调节的方式,实现1.5~2.1GHz的宽带调谐。仿真结果表明,在电源电压1.8V的情况下,压控振荡器的中心频率为1.8GHz。中心频率附近(600kHz),相位噪声达到-121dBc/Hz,振荡器的工作电流为1.4mA。
关 键 词:
压控振荡器
频率综合器
相位噪声
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