| 电子束蒸发非晶硅光学薄膜工艺研究 |
| |
| 引用本文： | 舒雄文,徐晨,田增霞,罗丹,沈光地.电子束蒸发非晶硅光学薄膜工艺研究[J].光电子．激光,2006,17(8):905-908. |
| |
| 作者姓名： | 舒雄文 徐晨 田增霞 罗丹 沈光地 |
| |
| 作者单位： | 北京工业大学光电子技术实验室,北京,100022;北京工业大学光电子技术实验室,北京,100022;北京工业大学光电子技术实验室,北京,100022;北京工业大学光电子技术实验室,北京,100022;北京工业大学光电子技术实验室,北京,100022 |
| |
| 基金项目： | 国家研究发展基金;北京市科委科研项目;北京市教委科研项目 |
| |
| 摘 要： | 研究了沉积时真空室真空度、基片温度和沉积速率对常用电子束蒸发非晶硅(a-Si)光学薄膜的折射率和消光系数的影响。结果表明,在300~1100nm的波长范围内,真空室真空度、基片温度和沉积速率越高,则所得a-Si薄膜折射率越高,消光系数越大。并将实验结果用于半导体激光器腔面高反镜用a-Si膜镀制,发现在选择初始真空为1E-6×133Pa、基片温度为100℃和沉积速率为0.2nm/s时所得高反镜的光学特性比较好,在808nm处折射率和消光系数分别为3.1和1E-3。
|
| 关 键 词： | 非晶硅(a-Si) 光谱椭偏仪 折射率 消光系数 半导体激光器 |
| 文章编号： | 1005-0086（2006）08-0905-04 |
| 收稿时间： | 2005-10-23 |
| 修稿时间： | 2005-10-232006-03-24 |
Process Investigation of Electron Beam Evaporation Deposited Amorphous Silicon Optical Films |
| |
| SHU Xiong-wen,XU Chen,TIAN Zeng-xi,LUO Dan,SHEN Guang-di.Process Investigation of Electron Beam Evaporation Deposited Amorphous Silicon Optical Films[J].Journal of Optoelectronics·laser,2006,17(8):905-908. |
| |
| Authors: | SHU Xiong-wen XU Chen TIAN Zeng-xi LUO Dan SHEN Guang-di |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | amorphous silicon spectroscopic ellipsometer refractive index extinction coefficient semiconductor laser |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《光电子．激光》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《光电子．激光》下载全文 |
|
