| 一种新型鳍状栅极LDMOS功率器件的设计 |
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| 引用本文： | 蒋志林 王旭锋 于平平 姜岩峰. 一种新型鳍状栅极LDMOS功率器件的设计[J]. 电子器件, 2022, 45(1): 7-12. DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2022.01.002 |
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| 作者姓名： | 蒋志林 王旭锋 于平平 姜岩峰 |
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| 作者单位： | 江南大学电子工程系,物联网技术应用教育部工程研究中心,江苏 无锡214122 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金委员会(No.61774078,No.51802124),江苏省自然科学基金(BK 20180626) |
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| 摘 要： | 本文设计了一种具有新型鳍状栅极结构的LDMOS功率开关器件(FG-LDMOS)，该器件在导电沟道处纵向刻蚀一组浅沟槽，再经热氧化后填充作为场板的多晶硅。鳍状栅极结构在不改变器件尺寸情况下，增大了沟道的有效宽度，增强了场板效应。通过Silvaco TCAD仿真验证，结果表明FG-LDMOS较传统LDMOS具有更好的电学特性，如击穿电压提高了25％达到100 V，比导通电阻Ron.sp降低了25％至2.68 mΩ?cm2，品质因数FOM提高了94.5％到3.58 MW/cm2。此外该FG-LDMOS拥有优异的高频开关特性，其栅漏电容CGD降到了0.46×10-16 F/μm，跨导gm升至0.26 mS。
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| 关 键 词： | 鳍状栅极 击穿电压 比导通电阻 Silvaco TCAD |
A Novel Fin-Shapped Gate LDMOS with High BV and Low Ron.sp |
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| JIANG Zhilin,WANG Xufeng,YU Pingping,JIANG Yanfeng. A Novel Fin-Shapped Gate LDMOS with High BV and Low Ron.sp[J]. Journal of Electron Devices, 2022, 45(1): 7-12. DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2022.01.002 |
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| Authors: | JIANG Zhilin WANG Xufeng YU Pingping JIANG Yanfeng |
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