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| 基于正交试验的碲锌镉晶片CMP参数优化及抛光机制分析 | |
| 作者姓名： | 张乐振 张振宇 王冬 徐光宏 郜培丽 孟凡宁 赵子锋 |
| 作者单位： | 潍柴动力股份有限公司 山东潍坊261061;大连理工大学高性能制造研究所,精密与特种加工教育部重点实验室 辽宁大连116024;中国空间技术研究院,北京卫星制造厂有限公司 北京100094 |
| 基金项目： | 国家重点研发计划（2018YFA0703400） |
| 摘 要： | 碲锌镉(CZT)晶片是目前制造室温下高能射线探测器最理想的半导体材料,获得高质量的CZT晶片对探测性能的提高具有十分重要的意义.基于化学机械抛光(CMP)工艺,采用绿色环保的抛光液配方,设计并进行磨粒粒径、磨粒质量分数、抛光液pH值和抛光压力的4因素3水平正交CMP试验,实现200μm×200μm范围内平均粗糙度最低为... |
| 关 键 词： | 化学机械抛光 碲锌镉晶片 正交试验 抛光液 材料去除机制 |
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