| 用XPS对CdTe（111）面进行化学特性分析 |
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| 引用本文： | 刘朝旺 宋炳文. 用XPS对CdTe（111）面进行化学特性分析[J]. 红外技术, 1994, 16(5): 6-10 |
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| 作者姓名： | 刘朝旺 宋炳文 |
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| 作者单位： | 昆明物理研究所 |
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| 摘 要： | 用ＸＰＳ化学位移和定量分析方法，研究了露于室温空气中的ＣｄＴｅ（１１１）面的化学特征。首次报道了经机械抛光表面上形成的表面化合物为ＴｅＯ２（Ｔｅ３ｄ５／２５７５．８ｅＶ，Ｏ１ｓ５３０．１ｅＶ）和Ｃｄ（ＯＨ）２（Ｃｄ３ｄ５／２４０５１ｅＶ．Ｏ１ｓ５３１．４ｅＶ）。并与基体里的ＣｄＴｅ共存；经２％Ｂｒ－乙醇溶液化学抛光，表面上形成的化合物为ＣｄＴｅＯ４（Ｃｄ３ｄ５／２４０５．３ｅＶ，Ｔｅ３ｄ５／２５７６５ｅＶ，Ｏ１ｓ５３１．２ｅＶ）和ＴｅＯｘ（ｘ＜１）（Ｔｅ３ｄ５／２５７４～５７５ｅＶ，Ｏ１ｓ５２８１ｅＶ），并且ＸＰＳ谱中没有基体里的ＣｄＴｅ的特征，其中ＴｅＯＸ为Ｔｅ氧化物的过渡态。结果表明，在相同氧化环境中，表面上形成的化合物强烈依赖表面状况。
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| 关 键 词： | 外延生长 CdTe（111）晶片 XPS 化学特性 |
XPS Study on Chemical Characterisics of CdTe(111) Surface |
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| / Liu Chaowang and SongBingwen. XPS Study on Chemical Characterisics of CdTe(111) Surface[J]. Infrared Technology, 1994, 16(5): 6-10 |
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| Authors: | / Liu Chaowang and SongBingwen |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | XPS Chemical shift Surface compound XPS quantitative analysis |
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